RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
75
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
1548
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link