RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2876
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link