RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2455
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link