RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
3536
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link