RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1435
3005
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link