Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Средняя оценка

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 68

Около 60% меньшая задержка

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 5.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 68
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 16.2
Скорость записи, Гб/сек

5.7 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1435 1812

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

модули RAM