Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB против Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Средняя оценка

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.6 11.6

Среднее значение в тестах

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 39

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.2 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 31
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 11.6
Скорость записи, Гб/сек

6.8 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1954 2783

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM