RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2102
2700
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link