RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB против Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
55
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
55
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
9.4
Скорость записи, Гб/сек
6.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1857
2185
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link