RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2125
2349
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link