RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
74
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2125
1616
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link