RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сравнить
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1807
2539
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link