Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB против Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 37

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.7 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.9 5.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 23
Скорость чтения, Гб/сек

11.1 14.7
Скорость записи, Гб/сек

5.8 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1807 2231

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB

модули RAM