Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 35

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

7.1 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1937 2608

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM