RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2510
3169
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link