RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2510
3568
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link