Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 55

Около 53% меньшая задержка

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 55
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 15.8
Скорость записи, Гб/сек

7.3 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1489 2701

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

модули RAM