RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1899
2690
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link