Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

83 84

Около -1% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

84 83
Скорость чтения, Гб/сек

5.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

3.6 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

878 1752

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM