RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
84
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
84
39
Скорость чтения, Гб/сек
5.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
3.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3000
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link