RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1906
3061
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link