RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
62
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1906
1808
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link