RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
43
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2250
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link