RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3379
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link