RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
48
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
48
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3061
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link