RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2319
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link