RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2731
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link