RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2417
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link