RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2088
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link