RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3499
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link