RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
86
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
5.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
86
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
12.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1220
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link