RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против INTENSO 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 4GB

INTENSO 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 36
    Около 25% меньшая задержка
INTENSO 4GB Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    12.1 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.9 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.5 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1620 left arrow 2061

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

INTENSO 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
модули RAM
Kingston KHX16 4GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
модули RAM