RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2732
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link