Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Средняя оценка

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 55

Около 51% меньшая задержка

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Причины выбрать
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 55
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 19.0
Скорость записи, Гб/сек

8.5 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1620 2239

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM