RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2648
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link