Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.9 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 15.9
Скорость записи, Гб/сек

8.5 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1620 2240

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM