RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1843
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link