RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1843
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link