RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2427
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link