RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2581
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link