RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2259
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link