RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2871
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link