RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
1740
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link