RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
66
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
1934
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link