RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2879
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link