RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
67
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
67
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
1879
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link