RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сравнить
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB против Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Средняя оценка
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
12.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
1886
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link