RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Kingston HX316C10F/8 8GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX316C10F/8 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX316C10F/8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
95
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
95
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2585
1518
Kingston HX316C10F/8 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link