RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston HX316C10F/8 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX316C10F/8 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX316C10F/8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
74
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX316C10F/8 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2585
1616
Kingston HX316C10F/8 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link