RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Kingston K1N7HK-ELC 2GB против Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
99
Около 74% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
99
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1820
1386
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link