Kingston KF548C38-16 16GB против Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Средняя оценка

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KF548C38-16 16GB

Причины выбрать
Kingston KF548C38-16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 36

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.8 11.8

Среднее значение в тестах

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.7 14.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 36
Скорость чтения, Гб/сек

14.8 18.7
Скорость записи, Гб/сек

12.8 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3319 3238

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

модули RAM

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM